Sputter System

SP200SS 小型RFスパッタ装置 ¥4,000,000〜

実験用薄膜作成用2”小型スパッタ装置です。

各種材料に応じた電源との組み合わせが可能です。

仕様 
到達圧力 2×10-5Pa以下
排気系 ターボ分子ポンプ 200L/S+ロータリーポンプ
スパッタ源 2インチ・TORUS®スパッタ源
電源 300WRF電源+手動マッチングボックス
基板ステージ 収納基板2インチ
ガス導入ユニット

20SCCM舛フローコントローラー
or
バリアブルリークバルブ

 

オプション

  • 基板回転加熱機構 500°C MAX(高温用800°加熱有)
  • DCスパッタ電源
  • 真空計 フルレジ真空計

SP400SS 拡張型UHVスパッタ装置(多元) ¥8,000,000〜

拡張型ウHVスパッタ装置(多元)です。

当初はシンプルな単元式スパッタにて成膜を行い実験成果に合わせてロードロック室スパッタ源など追加拡張型の装置です。

仕様 
到達圧力 1.5×10-6Pa
排気系 ターボ分子ポンプ 500L/S+ロータリーポンプ150L/S
スパッタ源 2インチ・TORUS®スパッタ源(最大4元取付可能)
電源 300WRF電源+手動マッチングボックス(DC電源選択可)
基板ステージ 2インチ基板回転加熱機構 800°C MAX

オプション

  • ロードロック室(TMP+R.P)
  • 排気系(磁気浮上ターボ分子ポンプ)
  • イオンソース
  • チャンバー加熱ユニット

SP600S UHV多元スパッタ装置  ¥20,000,000〜

実験用薄膜形成 多元スパッタ装置です。

各種材料に応じた電源、イオンソースなど汎用性の高い装置です。

FR、DC両方式のマグネトロンスパッタが可能です。

仕様 成膜室 
到達圧力 1.5×10-6Pa
排気系 磁気浮上タイプターボ分子ポンプ
800L/S+ロータリーポンプ100L/S
スパッタ源 2インチスパッタ源(最大4元取付可能)
電源 RF電源+手動マッチングボックス(DC電源選択可)
基板ステージ 2インチ基板回転加熱機構 800°C MAX
仕様 ロードロック室 
到達圧力 6.6×10-5Pa
排気系 ターボ分子ポンプ 50L/S
+ロータリーポンプ100L/S

オプション

  • イオンソース

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