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本機構は大気～超高真空に設置された基板に対し1000℃以上の高温に加熱する事が出来るレーザー加熱機構です。
PLD,Sputter,MBE,CVDをはじめとする各種真空装置の基板を高温に加熱出来るとともに大気中での高温加熱も可能となっております。
更に縮小、拡大レンズを使用することにより照射面積、最高温度も変えることが出来ます。
又、放射温度計等の外部信号によりPID温度制御も可能となり加熱機構として幅広く応用が出来ます。
特長
▲PLD装置Φ20㎜1000℃180W
▲Si基板Φ10㎜1400℃40W- ❶ 1064nm波長の出力により、最大200Wまで効率よく加熱が出来ます。
- ❷ レーザー光の開き角が小さく限定された領域に対し高温加熱が出来るため、効率よく高温加熱が出来ます。100W以下でSi相当基板にて1400℃以上の加熱が可能です。
- ❸ 縮小、拡大レンズを装着する事が出来、基板Φ20㎜でも1000℃以上、更に縮小時には1500℃以上の加熱が可能です。
- ❹ 放射温度計等外部温度計測との接続が可能のため、優れた温度制御を行う事が出来ます。
- ❺ 加熱操作はPCによって容易に操作出来ます。
- ❻ 豊富なオプションにより拡張性に富んでおります。
- ❼ PCでパワー制御可能
レーザー本体及び制御
- 中心波長：1064nm
- 最大出力：200W
- CWモード、パルスモード選択可能
- ビーム直径：約Φ7㎜
- 入力：AC変換電源使用AC100V、200V選択
（駆動電圧48V）最大消費電力830W - 冷却：空冷
- 操作：Windows PCによる
真空導入窓
- ICF70或いはICF114対応
- 両面反射防止膜付合成石英
■その他フランジも対応可能
レーザー本体移動機構及びレンズ
- X-Y直交2方向±5㎜、Z方向は打合せによる
- 拡大、縮小レンズは仕様により対応
- 取付形状：別途打合せによる
■Φ7㎜程度の直接照射も可能
温度制御
- 内部制御の場合：
- 出力パワー0〜100%、
CW,パルスモード選択設定 - 外部制御の場合：
- 放射温度計による設定にてPID制御可能
■熱電対による温度制御対応可能
温度特性例
- 拡大レンズにより約Φ20㎜領域にて
基板表面1000℃（真空中にて）：180W - Si相当基板にダイレクトビーム照射、
基板表面にて1400℃（大気中にて）：90W - 放射温度計1000℃設定に対しPID制御にて
±2℃以内
■各種基板材料に対応可能
基板回転移動機構
- 収納基板最大１”1枚
- 自転：ACモーターにより最大20rpm（速度可変）
- Z移動：最大40㎜
- 基板ホルダー：インコネル
■加熱有効面積：約Φ20㎜
尚性能向上のため予告なく
仕様を変更する事があります。
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