Sputter System

SP200SS　小型RFスパッタ装置　￥4,000,000〜

実験用薄膜作成用２”小型スパッタ装置です。

各種材料に応じた電源との組み合わせが可能です。

仕様　
到達圧力 2×10-5Pa以下
排気系 ターボ分子ポンプ　200L/S+ロータリーポンプ
スパッタ源 2インチ・TORUS®スパッタ源
電源 300WRF電源+手動マッチングボックス
基板ステージ 収納基板2インチ
ガス導入ユニット

20SCCMマスフローコントローラー
or
バリアブルリークバルブ

 

オプション

  • 基板回転加熱機構　500°C　MAX（高温用800°加熱有）
  • DCスパッタ電源
  • 真空計　フルレンジ真空計

UHV-SP410SS　小型RFスパッタ装置　

実験用薄膜作成用２”小型スパッタ装置です。

各種材料に応じた電源との組み合わせが可能です。

仕様　
到達圧力 2×10-5Pa以下
排気系 ターボ分子ポンプ　200L/S+ロータリーポンプ
スパッタ源 2インチ・TORUS®スパッタ源
電源 300WRF電源+手動マッチングボックス
基板ステージ 収納基板2インチ
ガス導入ユニット

20SCCMマスフローコントローラー
or
バリアブルリークバルブ

 

オプション

  • 基板回転加熱機構　500°C　MAX（高温用800°加熱有）
  • DCスパッタ電源
  • 真空計　フルレンジ真空計

UHV-420S　3元スパッタ装置　　￥10,000,000〜

実験用薄膜作成用２”小型スパッタ装置です。

各種材料に応じた電源との組み合わせが可能です。

仕様　
到達圧力 2×10-5Pa以下
排気系 ターボ分子ポンプ　200L/S+ロータリーポンプ
スパッタ源 2インチ・TORUS®スパッタ源
（最大3元取付可能）
電源 300WRF電源+手動マッチングボックス
基板ステージ 収納基板2インチ
ガス導入ユニット

20SCCMマスフローコントローラー
or
バリアブルリークバルブ

 

オプション

  • 基板回転加熱機構　500°C　MAX（高温用800°加熱有）
  • DCスパッタ電源
  • 真空計　フルレンジ真空計

UHV-421S　4元スパッタ装置　　￥21,000,000〜

実験用薄膜形成　多元スパッタ装置です。

各種材料に応じた電源、イオンソースなど汎用性の高い装置です。

FR、DC両方式のマグネトロンスパッタが可能です。

仕様　成膜室　
到達圧力 1.5×10-6Pa
排気系 磁気浮上タイプターボ分子ポンプ390L/S+ロータリーポンプ100L/S
スパッタ源 2インチスパッタ源（最大4元取付可能）
電源 RF電源+手動マッチングボックス（DC電源選択可）
基板ステージ 2インチ基板回転加熱機構　800°C　MAX
仕様　ロードロック室（カセット式）　
収納カセット x3枚
到達圧力 6.6×10-5Pa
排気系 ターボ分子ポンプ
50L/S+ロータリーポンプ100L/S

オプション

  • イオンソース

 

SP300S　小型RFスパッタ装置　￥25,000,000〜

実験用薄膜作成用２”小型スパッタ装置です。

各種材料に応じた電源との組み合わせが可能です。

仕様　
到達圧力 2×10-5Pa以下
排気系 ターボ分子ポンプ　200L/S+ロータリーポンプ
スパッタ源 2インチ・TORUS®スパッタ源
電源 300WRF電源+手動マッチングボックス
基板ステージ 収納基板2インチ
ガス導入ユニット

20SCCMマスフローコントローラー
or
バリアブルリークバルブ

 

オプション

  • 基板回転加熱機構　500°C　MAX（高温用800°加熱有）
  • DCスパッタ電源
  • 真空計　フルレンジ真空計

SP400SS　拡張型UHVスパッタ装置（多元） ￥8,000,000〜

拡張型UHVスパッタ装置（多元）です。

当初はシンプルな単元式スパッタにて成膜を行い実験成果に合わせてロードロック室スパッタ源など追加拡張型の装置です。

仕様　
到達圧力 1.5×10-6Pa
排気系 ターボ分子ポンプ 450L/S+ロータリーポンプ150L/S
スパッタ源 2インチ・TORUS®スパッタ源（最大4元取付可能）
電源 300WRF電源+手動マッチングボックス（DC電源選択可）
基板ステージ 2インチ基板回転加熱機構　800°C　MAX

オプション

  • ロードロック室（TMP+R.P）
  • 排気系（磁気浮上ターボ分子ポンプ）
  • イオンソース
  • チャンバー加熱ユニット

SP600S　UHV多元スパッタ装置　 ￥20,000,000〜

実験用薄膜形成　多元スパッタ装置です。

各種材料に応じた電源、イオンソースなど汎用性の高い装置です。

FR、DC両方式のマグネトロンスパッタが可能です。

仕様　成膜室　
到達圧力 1.5×10-6Pa
排気系 磁気浮上タイプターボ分子ポンプ390L/S+ロータリーポンプ100L/S
スパッタ源 2インチスパッタ源（最大4元取付可能）
電源 RF電源+手動マッチングボックス（DC電源選択可）
基板ステージ 2インチ基板回転加熱機構　800°C　MAX
仕様　ロードロック室　
到達圧力 6.6×10-5Pa
排気系 ターボ分子ポンプ　50L/S
+ロータリーポンプ100L/S

オプション

  • イオンソース

UHV-SP800S　UHV多元スパッタ装置　 ￥30,000,000〜

実験用薄膜形成　多元スパッタ装置です。

各種材料に応じた電源、イオンソースなど汎用性の高い装置です。

FR、DC両方式のマグネトロンスパッタが可能です。

仕様　成膜室　
到達圧力 1.5×10-6Pa
排気系 磁気浮上タイプターボ分子ポンプ
800L/S+ロータリーポンプ100L/S
スパッタ源 2インチスパッタ源（最大4元取付可能）
電源 RF電源+手動マッチングボックス（DC電源選択可）
基板ステージ 2インチ基板回転加熱機構　800°C　MAX
仕様　ロードロック室　
到達圧力 6.6×10-5Pa
排気系 ターボ分子ポンプ　50L/S
+ロータリーポンプ100L/S

オプション

  • イオンソース
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