- MO-ZERO11
- MO-ZERO10
- MO-ZERO1SP
- MO-ZERO2SP Plasma
- MO-ALD8000
- CVD-M10SP
- SPM590
- SPM591
- MO-ZERO12
- MO-ZERO3SP
- MO-ZERO5
- SPM580SS
- SPM560
- STD-CVD-M6CS
- SSALD-01
MO-CVD System CVD-M10SP

メタルオーガニック(MO)ガスを導入したMOCVDや飽和表面反応を利用した原子層成膜(Atomic Layer Deposition)の実験も可能です。
大型ロボット付き実験用ALD装置です。
真空チャンバーでウェハを加熱、CVDガスを導入し表面反応を利用したCVD(ALCVD)を行う装置です。
特徴
- 幅広い温度範囲でのCVDが可能です
- ロードロック機構+手動搬送機構により手早く成膜できます
- 排気系に特殊トラップ機構(オプション)を設けることで長期間安定した成膜が可能です
- パーソナルコンピュータによる自動成膜が可能です (オプション)
チャンバー材質 | アルミ合金SUS304/316 |
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基板加熱 | シースヒーターによる加熱(最高温度600℃)PID制御 |
基板サイズ | 2"〜4"(仕様によりチャンバー外形が変わります) |
原料供給 | 原料加熱による気化+マスフローコントローラーによる流量調整 |
排気系 | TMP+ロータリーポンプ |
基板搬送 | 手動搬送機構+上下機構(モーター駆動) |
ガスライン加熱 | 最大16系統の増設が可能 |

▶MOガスの温度や流量は個別に制御されMOガス個別の特性に応じた制御が可能です
▶搬送されたサンプルの成膜制御はコンピュータから行います
OPTION
▶成膜中の温度や流量などのパラメータはコンピュータ内に蓄積され、過去の成膜状態との比較が容易です